சூரிய மின்கலம்: திருத்தங்களுக்கு இடையிலான வேறுபாடு

'''சூரிய மின்கலம்''' என்பது '''[[ஒளி மின்னழுத்த விளைவின்]]''' மூலமாக சூரிய ஒளியின் ஆற்றலை நேரடியாக [[மின்சக்தியாக]] மாற்றும் ஒரு சாதனமாகும். சில நேரங்களில் ''சூரிய மின்கலம்'' என்னும் சொல்லானது குறிப்பாக சூரிய ஒளியிலிருந்து ஆற்றலை கிரகிப்பதற்கென்றே உருவாக்கப்பட்ட சோலார் பேனல்கள் மற்றும் சூரிய மின்கலங்கள் போன்ற சாதனங்களை மட்டுமே குறிப்பிடுவதற்கென்று ஒதுக்கி வைக்கப்பட்டுள்ளதாகக் கருதப்படுகின்றது, அதே வேளையில் ''ஒளிமின்னழுத்த மின்கலம்'' என்ற சொல்லானது ஒளி மூலம் எது எனக் குறிப்பிடப்படாத சந்தர்ப்பத்தில் பயன்படுத்தப்படுகிறது. பல மின்கலங்கள் ஒன்றாக சேர்த்து அமைக்கப்பட்டு [[சோலார் பேனல்]]கள் [[சோலார் மாட்யுல்]]கள் அல்லது [[ஒளிமின்னழுத்த வரிசை]]கள் ஆகியவை உருவாக்கப்படுகின்றன. ''[[ஒளிமின்னழுத்தவியல்]]'' என்பது நடைமுறைப் பயன்பாடுகளுக்காக மின் சக்தியை உருவாக்குவதற்கு சூரிய மின்கலங்களைப் பயன்படுத்துவதுடன் தொடர்புடைய தொழில்நுட்பம் மற்றும் ஆராய்ச்சி பற்றிய துறையாகும். இவ்விதமாக உருவாக்கப்பட்ட ஆற்றலானது ''[[சூரிய ஆற்றலுக்கு]]'' ஓர் எடுத்துக்காட்டாகும் (இது ''[[சூரிய திறன்]]'' என்றும் அழைக்கப்படுகிறது).

"photovoltaic" என்ற சொல்லானது [[கிரேக்க]] சொற்களான "ஒளி" என்ற பொருளுடைய φῶς (''phōs'' ) மற்றும் மின்சாரம் என்ற பொருளுடைய "வோல்டாயிக்" ஆகியவற்றிலிருந்து உருவானதாகும், வோல்டாயிக் என்ற சொல் [[இத்தாலிய]] இயற்பியலாளர் [[வோல்டா]] அவர்களின் பெயரிலிருந்து உருவானது, மின்னூக்க விசையின் அலகான [[வோல்ட்]] என்பது அவரின் நினைவாக வைக்கப்பட்ட பெயரே ஆகும். "photo-voltaic" என்ற சொல் 1843 இலிருந்துஆம் ஆண்டிலிருந்து ஆங்கிலத்தில் பயன்படுத்தப்பட்டுவருகிறது.<ref>{{cite book|title = Elements of Electro-Biology, or The Voltaic Mechanism of Man; of Electro-Pathology, Especially of the Nervous System...|author = Alfred Smee|publisher = London: Longman, Brown, Green, and Longmans|year = 1849|url = http://books.google.com/books?id=CU0EAAAAQAAJ&pg=PA15}}</ref>

[[ஒளி மின்னழுத்த விளைவு]] முதன் முதலில் 1839 இல்ஆம் ஆண்டில் பிரெஞ்சு இயற்பியலாளர் [[ஏ. ஈ. பெக்கோரல்]] என்பவரால் கண்டறியப்பட்டது. இருப்பினும், [[சார்லஸ் ஃப்ரிட்ஸ்]] அவர்களால் 1883 இல்ஆம் ஆண்டில் முதல் சூரிய மின்கலம் உருவாக்கப்படும் வரை அது கண்டறியப்படவில்லை. அவர் [[குறைக்கடத்தி]] [[செலினியத்தை]] மிகவும் மெல்லிய [[தங்க]] பூச்சினால் மேலமைத்து சந்திப்புகளை உருவாக்கினார். அந்த சாதனமானது சுமார் 1% மட்டுமே செயல்திறனுடையதாக இருந்தது. அதைத் தொடர்ந்து ரஷ்ய இயற்பியலாளர் [[அலெக்சாண்டர் ஸ்டோலெட்டோவ்]] வெளி [[ஒளிமின் விளைவை]] (1887 இல்ஆம் ஆண்டில் [[ஹென்றிச் ஹெர்ட்ஸ்]] அவர்களால் கண்டுபிடிக்கப்பட்டது) அடிப்படையாகக் கொண்டு முதல் சூரிய மின்கலத்தை உருவாக்கினார். [[ஆல்பர்ட் ஐன்ஸ்டீன்]] 1905 இல்ஆம் ஆண்டில் ஒளிமின் விளைவை விளக்கினார், அவருக்கு. அதற்காக அவருக்கு 1921 இல்ஆம் ஆண்டில் இயற்பியலுக்கான நோபல் பரிசு வழங்கப்பட்டது. [[ரஸ்ஸல் ஓல்]] 1946இல்1946 ஆம் ஆண்டில் நவீன சந்திப்பு குறைக்கடத்தி மின்கலத்திற்கான காப்புரிமை பெற்றார்<ref>"லைட் சென்சிட்டிவ் டிவைஸ்" {{US patent|2402662}}</ref>, அது [[டிரான்சிஸ்டர்]] உருவாக்கத்திற்கு வழிவகுக்கக்கூடிய தொடர் செயல்கள் தொடர்பாக பணிபுரிந்துகொண்டிருந்த போது கண்டுபிடிக்கப்பட்டது.

சூரிய ஆற்றல் தொழில்நுட்பத்தின் நவீன யுகம் 1954 இல்ஆம் ஆண்டில் தொடங்கியது, அப்போது [[பெல் ஆய்வகம்]] குறைக்கடத்திகளைக் கொண்டு பரிசோதனைகளில் ஈடுபட்டுக்கொண்டிருக்கும் போது, சில மாசுக்கள் கலக்கப்பட்ட சிலிக்கானானது ஒளியுணர்தன்மை அதிகம் கொண்டிருப்பதை தற்செயலாகக் கண்டுபிடித்தது. [[டேரில் சாப்பின்]] பெல் ஆயவகத்தின் சக பணியாளர்களான [[கால்வின் ஃபுல்லர்]] மற்றும் [[ஜெரால்ட் பீர்சன்]] ஆகியோருடன் இணைந்து, சூரிய ஒளியை பயன்மிக்க மின் சக்தியாக மாற்றக்கூடிய முதல் நடைமுறைச் சாதனத்தை உருவாக்கினார்.<ref>டி. எம். சாப்பின், சி. எஸ். ஃபுல்லர், அண்ட் ஜி. எல். பியர்சன்; ஜே. ஆப்ப்ள். ஃபிஸ். 25, 676 (1954);</ref> இதன் விளைவாக சுமார் 6% செயல்திறனுள்ள சூரிய ஒளியிலிருந்து ஆற்றலை உருவாக்கும் அமைப்புகள் உருவாக்கப்பட்டன.சூரிய பேட்டரிக்கான செயல்விளக்கம் முதன் முதலில் 1954 ஆம் ஆண்டு ஏப்ரல் 25, 1954 இல்அன்று வழங்கப்பட்டது. மார்ச் 1958 இல்ஆம் ஆண்டு மார்ச் மாதத்தில் செலுத்தப்பட்ட அமெரிக்க செயற்கைக்கோளான [[வான்கார்டு 1]] என்பதே முதல் விண்கலமாகும்,. அதற்கான சூரிய மின்கலங்கள் [[ஹாஃப்மேன் எலக்ட்ரானிக்ஸ்]] நிறுவனத்தால் உருவாக்கப்பட்டன. ஒரு மைல்கல்லாக அமைந்த இந்த நிகழ்ச்சி, சூரிய ஆற்றலிலிருந்து தேவையான மின்னாற்றலைப் பெற்று [[நிலையாகப் பொருத்தப்பட்ட]] நிலையில் இயங்கும் தகவல்தொடர்பு [[செயற்கைக்கோள்]]களை உருவாக்கி விண்ணில் செலுத்தும் ஆர்வத்தை உருவாக்கியது. இதுவே, பல அரசாங்கங்களை மேம்பட்ட சூரிய மின்கலங்கள் தொடர்பான ஆராய்ச்சிக்கு நிதி உதவி வழங்கத் தூண்டிய முக்கியமான முன்னேற்றமாகும்.

1970 இல்ஆம் ஆண்டில் அதிக செயல்திறன் வாய்ந்த முதல் [[GaAs]] [[கலப்புக்கட்டமைப்புத் தன்மை]] கொண்ட சூரிய மின்கலங்களை [[ஜோர்ஸ் ஆல்ஃபெரோ]] மற்றும் அவரது குழுவினர் [[USSR]] இல் உருவாக்கினர்.<ref>{{cite journal|author=Alferov, Zh. I., V. M. Andreev, M. B. Kagan, I. I. Protasov,and V. G. Trofim|year= 1971|tile=Solar-energy converters based on p-n

AlxGa12xAs-GaAs heterojunctions|journal=Sov. Phys. Semicond.|volume=4|page=2047}}</ref><ref>{{PDFlink| [http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/2000/alferov-lecture.pdf Nobel Lecture]|4.62&nbsp;MB}} - [[ஸோர்ஸ் ஆல்ஃபெரோ]], ப.6</ref> மெட்டல் ஆர்கானிக் கெமிக்கல் வேப்பர் டெப்பாசிஷன் (MOCVD அல்லது OMCVD) தயாரிப்பு உபகரணமானது 1980களின் முற்பகுதி வரை உருவாக்கப்படவில்லை, இதனால் GaAs சூரிய மின்கலத்தை உருவாக்குவதற்கான நிறுவனங்களின் திறன் குறைவாக இருந்தது. அமெரிக்காவில், முதல் 17% செயல்திறனுள்ள காற்று நிறை பூச்சியம் கொண்ட ([[AM0]]) ஒற்றை சந்தி GaAs சூரிய மின்கலங்கள், 1988 இல்ஆம் ஆண்டில் உற்பத்தி அளவீடுகளில் அப்ளைடு சோலார் எனர்ஜி கார்ப்பரேஷன் (ASEC) நிறுவனத்தால் உருவாக்கப்பட்டன. "இரட்டைச் சந்தி" மின்கலமானது ASEC நிறுவனம், GaAs அடிமூலக்கூறிலிருந்த GaAs இலிருந்து GaAs ஜெர்மானிய (Ge) அடிமூலக்கூறாக மாற்ற மேற்கொண்ட செயலாக்கத்தின் விளைவாக 1989 இல்ஆம் ஆண்டில் உற்பத்தி அளவீடுகளில் தற்செயலாக உருவாக்கப்பட்டது. GaAs தாங்கல் அடுக்குடன் தற்செயலாக செய்யப்பட்ட Ge இன் மாசுக்கலப்பினால் உயர் திறந்த சுற்று மின்னழுத்தங்களை உருவாக்கியது, இதிலிருந்து Ge அடிமூலக்கூறை மற்றொரு மின்கலமாகப் பயன்படுத்துவதற்கான சாத்தியக்கூறு கண்டறியப்பட்டது. GaAs ஒற்றை-சந்தி மின்கலங்கள் 1993இல்1993 ஆம் ஆண்டில் 19% [[AM0]] உற்பத்தி செயல்திறனை அடைந்திருந்த்தால், ASEC நிறுவனம் அமெரிக்காவில் விண்கலங்களில் பயன்படுத்துவதற்கான முதல் இரட்டைச் சந்தி மின்கலங்களை உருவாக்கியது, அவற்றின் செயல்திறன் சுமார் 20% இலிருந்து தொடங்கியது. இந்த மின்கலங்கள் Ge ஐ இரண்டாம் நிலை மின்கல்மாகப் பயன்படுத்தவில்லை, ஆனால் மற்றொரு GaAs-அடிப்படையிலான மின்கலத்தைப் பயன்படுத்தின. அதன் விளைவாக சுமார் 22% செயல்திறனுடன் கூடிய விதத்திலான GaAs இரட்டைச் சந்தி மின்கலங்கள் உற்பத்திக்கு வந்தன. முச்சந்தி சூரிய மின்கலங்களின் [[AM0]] தொடக்க செயல்திறன் தோராயமாக 2000 இல்ஆம் ஆண்டில் 24%, 2002 இல்ஆம் ஆண்டில் 26%, 2005 இல்ஆம் ஆண்டில் 28% மற்றும் 2007இல்2007 ஆம் ஆண்டில் 30% என்ற அளவிலான [[AM0]] உற்பத்தி செயல்திறனை அடைந்தன, தற்போது தகுதிசெயலாக்கத்தில் உள்ளது.

2002 இல்ஆம் ஆண்டில், [[CdTe]] மெல்லிய ஏடுகளை அடிப்படையாகக் கொண்ட சூரிய மின்கலங்களுக்கான பதிவு செய்யப்பட்ட அதிகபட்ச செயல்திறன் 18% ஆகும், இந்த சாதனை [[ஷெஃபில்ட் ஹால்லெம் யுனிவெர்சிட்டியினால்]] நிகழ்த்தப்பட்டது, இருப்பினும் வெளிப்புற சோதனை ஆய்வகத்தினால் இன்னும் உறுதி செய்யப்படவில்லை.

CIS என்பது காப்பர் இண்டியம் செலனைடின் ('''C''' u'''I''' n'''S''' e₂) கால்கோப்பரைட் ஏடுகளுக்கான பொதுவான சுருக்கமாகும், கீழே குறிப்பிடப்பட்டுள்ள CIGS ஆனது CIS இன் ஒரு மாறுவகையாகும். CIS ஏடுகள் (Ga அல்ல) 14% க்கும் அதிகமான செயல்திறனை அடைந்தன. இருப்பினும், அமார்ஃபஸ் சிலிக்கான் சூரிய மின்கலங்களுடன் ஒப்பிடும் போது தற்போதைய CIS சூரிய மின்கலங்களின் உற்பத்தி செலவுகள் அதிகமானதே, ஆனால் தொடர்ச்சியான பணியால் மிகவும் விலைத்திறன் கொண்ட உற்பத்தி செயலாக்கத்திற்கு வழிவகுக்கலாம். CIS மாட்யூல்களின் முதல் பெரிய அளவிலான உற்பத்தி 2006 இல்ஆம் ஆண்டில் ஜெர்மனியில் [[உர்த் சோலார்]] நிறுவனத்தால் தொடங்கப்பட்டது. உற்பத்தி நுட்பங்கள் வேறுபடுகின்றன, மேலும் உலோகப் படிவிற்கு [[அல்ட்ரா நாசில்]]கள் போன்றவற்றைப் பயன்படுத்துவதும் அதற்கான நுட்பங்களில் அடங்கும்.

மற்றொரு கோணத்தில், இண்டியத்துடன் ஒப்பிடுகையில் கேலியத்தின் கிடைக்கும் தன்மை அதிகமாக இருப்பதால் இண்டியத்திற்கு பதிலீடாக கேலியம் சேர்க்கப்படுகிறது. தற்காலத்தில் உருவாக்கப்படும் இண்டியத்தில் 70%<ref>{{cite web|url=http://minerals.usgs.gov/minerals/pubs/commodity/indium/indiumcs06.pdf|title=Indium}}</ref> தட்டைத் திரை மானிட்டர் உற்பத்தி செய்யும் தொழிற்துறையினால் பயன்படுத்தப்படுகிறது. இருப்பினும், >19% செயல்திறனுள்ள CIGS சூரிய மின்கலங்களில் Ga இன் அணு வீதம் ~7% என உள்ளது, அதற்கான பட்டை இடைவெளி ~1.15 eV என உள்ளது. அதிக Ga கொண்டுள்ள CIGS சூரிய மின்கலங்கள் குறைவான செயல்திறனே கொண்டுள்ளன. எடுத்துக்காட்டுக்கு, CGS சூரிய மின்கலங்கள் (பட்டை இடைவெளி ~1.7 eV எனக் கொண்டுள்ளவை தூய CGS க்கு 9.5% செயல்திறனையும் மேற்பரப்பு மாற்றியமைக்கப்பட்ட CGS க்கு 10.2% செயல்திறனையும் கொடுத்துள்ளதாகப் பதிவு செய்யப்பட்டுள்ளது. சூரிய தொழில்நுட்பத்தின் சில முதலீட்டாளர்கள் CIGS மின்கலங்களின் உற்பத்தியானது இண்டியம் கிடைக்கும் தன்மையைப் பொறுத்து வரம்புக்குட்பட்டதாக ஆகிவிடும் என்று கவலை கொண்டுள்ளனர். 2 GW CIGS மின்கலங்களை உற்பத்தி செய்வதற்கு (தோராயமாக 2006 இல்ஆம் ஆண்டில் உற்பத்தி செய்யப்பட்ட சிலிக்கான் மின்கலங்களின் அளவு) 2004 இல்ஆம் ஆண்டில் உருவாக்கப்பட்ட இண்டியத்தில் 10% பயன்படுத்தப்பட வேண்டும்.<ref>{{cite journal|author=Tuttle et el.|title=Design Considerations and Implementation of Very-Large Scale Manufacturing of CIGS Solar Cells and Related Products|series=20th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition|year=2005}}{{Better citation|reason=Conference papers are notoriously hard to find unless they are published in a journal}}</ref> ஒப்பீட்டிற்கு, சிலிக்கான் சூரிய மின்கலங்கள் 2006 இல்ஆம் ஆண்டில் உலகின் எலக்ட்ரானிக் கிரேடு சிலிக்கான் உற்பத்தியில் 33% ஐப் பயன்படுத்தியது.

முச்சந்தி GaAs சூரிய மின்கலங்கள், 2005 மற்றும் 2007 இல்ஆம் ஆண்டுகளில் டட்ச் ஃபோர்-டைம் [[உலக சோலார் சவால்]] வெற்றி பெற்ற வாகனமான [[நூனா]] மற்றும் டட்ச் சோலார் சோலுட்ரா (2005) மற்றும் ட்வெண்டி ஒன் (2007) ஆகியவற்றிற்கான மின்சார மூலமாகவும் பயன்படுத்தப்பட்டுவந்தன.

ஆகஸ்டு 2008 இல்ஆம் ஆண்டு ஆகஸ்டு மாதத்தில் டட்ச் [[ரேட்போர்டு யுனிவெர்சிட்டி நிஜ்மெகென்]], ஒரு செதில் பேசிலிருந்து கண்ணாடி அல்லது பிளாஸ்டிக் ஏட்டிற்கு மாற்றியனுப்பட்க் கூடிய வெறும் 4 µm தடிமனுள்ள GaAs அடுக்கை மட்டுமே பயன்படுத்தி, மெல்லிய ஏடு சூரிய மின்கலத்திற்கான செயல்திறனின் ஓர் ஒற்றைச் சந்தி GaAs ஐப் பயன்படுத்தி 25.8% செயல்திறனை அடைந்தது பதிவு செய்யப்பட்டுள்ளது.<ref>[http://www.ru.nl/home/nieuws/imm/nieuw_wereldrecord/ நியூ வோர்ல்டு ரெக்கார்ட் ஃபார் நிஜ்மேகன் சோலார் செல்(டட்ச்)]</ref>

பொதுவாக ஒளி உட்கவரும் பொருளின் [[மோனோலேயராக]] ஒரு [[ருத்தேனியம்]] [[உலோகககரிம]] [[சாயம்]] ([[Ru-மையத்திலமைந்தது]]) பயன்படுத்தப்படுகிறது. சாய உணர்திறன் கொண்ட சூரிய மின்கலமானது மேற்பரப்பை அதிகமாக அதிகரிக்க, [[நானோபார்டிகுலேட்]] [[டைட்டானியம் டை ஆக்சைடின்]] ஒரு [[மீசோபோரஸ்]] அடுக்கைச் சார்ந்தே உள்ளது (தட்டை ஒற்றைப் படிகத்திற்கான தோராய மதிப்பான 10 m²/g உடன் ஒப்பிடுகையில் 200-300 m²/g TiO₂). ''ஒளி உட்கவரும் சாயத்திலிருந்து'' ஒளி விளைவால் உருவாக்கப்பட்ட எலக்ட்ரான்கள் ''n-வகை'' TiO₂ இன் வழியே செலுத்தப்படுகின்றன, மேலும் துளைகள் சாயத்தின் மற்றொரு பகுதியில் உள்ள ஒரு [[மின்பகுளி]]யின் வழியே செலுத்தப்படுகின்றன. மின் சுற்றானது மின்பகுளியில் உள்ள ரிடாக்ஸ் ஜோடியில் பூர்த்தி செய்யப்படுகிறது, அது திரவமாகவோ திடப் பொருளாகவோ இருக்கலாம். இந்த வகை மின்கலமானது உலோகங்களின் நெகிழ்தன்மை மிக்க பயன்பாட்டை அனுமதிக்கின்றன, மேலும் வழக்கமாக [[ஸ்கிரீன் பிரிண்டிங்]] மற்றும்/அல்லது [[அல்ட்ராசோனிக் நாசில்]]களின் பயன்பாடு ஆகியவற்றால் உருவாக்கப்படுகின்றன, மேலும் இவை ''தொகுப்பு'' சூரிய மின்கலங்களுக்குப் பயன்படுத்தப்படுபவற்றை விட குறைந்த செயலாக்க செலவுகளைக் கொண்டுள்ள வகையில் உருவாக்கப்படுகின்றன. இருப்பினும், இந்த மின்கலங்களில் உள்ள சாயங்களும் [[தரக்குறைப்பினால்]] வெப்பம் மற்றும் [[UV]] ஒளி ஆகியவற்றால் பாதிக்கப்படுகின்றன, மேலும் அமைப்பில் பயன்படுத்தப்படும் கரைப்பான்களின் காரணமாக மின்கல மூடுதலை (கேசிங்) [[மூடுவது]] கடினமாகிறது. மேலே கூறியபடி இருப்பினும், இது இந்த பத்தாண்டுகளில் வணிக ரீதியான தாக்க முன்கணிப்பிப்புடன் கூடிய மிகவும் பிரபலமான வளர்ந்துவரும் தொழில்நுட்பமாகும். DSSC சூரிய மாட்யுல்களின் முதல் வணிக ரீதியான ஏற்றுமதி ஜூலை 2009 இல்ஆம் ஆண்டு ஜூலை மாதத்தில் G24i இன்னோவேஷன்சிலிருந்து (www.g24i.com) நிகழ்ந்தது.

[[ஒருமுகப்படுத்து ஒளிமின்னழுத்த அமைப்புகள்]], ஒளிமின்னழுத்த விளைவுள்ள மின்கலங்களின் சிறிய பரப்பில் சூரிய ஒளியைக் குவிக்க, லென்சுகள் அல்லது கண்ணாடியின் பெரும்பகுதியிலான பரப்பைப் பயன்படுத்துகின்றன.<ref>http://www.nrel.gov/news/press/release.cfm/release_id=10</ref> அதிக ஒருமுகப்படுத்தல் என்பது, கிரிஸ்டலின் சிலிக்கான் பேனல்களுடன் ஒப்பிடுகையில் நேரடி சூரிய ஒளியை விட நூறு அல்லது அதிக மடங்கிலான ஒளியைக் குவிப்பது என்பதாகும். மிகவும் வணிக ரீதியிலான உற்பத்தியாளர்கள், 400 மற்றும் 1000 சன்களுக்கு இடையேயான ஒருமுகப்படுத்தல் திறன் கொண்ட அமைப்புகளை உருவாக்கிவருகின்றனர். பெரும்பாலான அமைப்புகள் [[நேரடி சூரிய ஒளியை]] மட்டுமே பயன்படுத்துவதோடு 3 பாகைகளுக்கும் குறைவான பிழைகளுடன் மட்டுமே கொண்டு சூரியனை நோக்கி இருக்க வேண்டும் என்பதால், அனைத்து ஒருமுகப்படுத்து அமைப்புகளுக்கும் அதிக துல்லியத் தன்மைக்காக ஒன்று அல்லது மேற்பட்ட அச்சு கண்காணிப்பு முறைமைகள் தேவைப்படுகின்றன. குறைக்கடத்திப் பொருள்கள் மிகவும் செலவு அதிகமானதாக உள்ளதாலும் அவற்றின் பற்றாக்குறை நிலவுவதாலும், குறைக்கடத்திப் பொருளைக் குறைவாகப் பயன்படுத்துவதே CPV அமைப்புகளின் பிரதான சிறப்பம்சமாகும். மேலும், ஒருமுகப்படுத்தல் விகிதத்தை அதிகரிப்பதால் உயர் செயல்திறன் கொண்ட ஒளிமின்னழுத்த மின்கலங்களின் செயல்திறம் அதிகரிக்கிறது.<ref>http://www.nrel.gov/ncpv/new_in_cpv.html</ref> CPV தொழில்நுட்பங்களில் இந்த நன்மைகள் இருப்பினும், குவித்தல், சூரிய கண்காணிப்பு மற்றும் குளிர்விப்பு உபகரணங்களின் செலவினால் அவற்றின் பயன்பாடுகள் வரம்புக்குட்பட்டதாகவே உள்ளன. 2006 ஆம் ஆண்டு அக்டோபர் 25, 2006 இல்அன்று, [[ஆஸ்திரேலிய]] ஃபெடரல் அரசாங்கம் மற்றும் [[விக்டோரிய]] மாகாண அரசாங்கம் ஆகியவை [[சோலார் சிஸ்டம்ஸ்]] நிறுவனத்துடன் இணைந்து, இந்தத் தொழில்நுட்பங்களைப் பயன்படுத்தி [[விக்டோரியாவிலான சோலார் பவர் ஸ்டேஷனை]] கட்டமைக்கப்போவதாக அறிவித்தன, 2008 இல்ஆம் ஆண்டில் அதன் கட்டமைப்புப் பணிகள் தொடங்கி 2013 இல்ஆம் ஆண்டில் முடியும் என அறிவித்தன. 154 MW இல் அமைக்கப்பட இருக்கும் இந்த மின் நிலையம், உலகின் மிகப் பெரிய ஒளிமின்னழுத்த மின் நிலையத்தினை விட பத்து மடங்கு பெரிய மின் நிலையமாக இருக்கும்.<ref>{{cite web |url=http://www.solarsystems.com.au/documents/SolarSystemsMediaRelease.pdf |title=World-leading mega scale station for Victoria|publisher=Solar Systems Pty Ltd. |format=PDF}}</ref>

மிகவும் நுண்ணிய வெப்பநிலையில் (800 முதல் 900 °C) ஒரு உப்புத் தொட்டியில் நிகழ்த்தப்படும் மின்பகுப்பின் மூலமாக திட சிலிக்காவை நேரடியாக தூய சிலிக்கானாக மாற்ற முடியும் (ஒடுக்குதல்).<ref>{{cite journal |author=Nohira T, Yasuda K, Ito Y |title=Pinpoint and bulk electrochemical reduction of insulating silicon dioxide to silicon |journal=Nat Mater |volume=2 |issue=6 |pages=397–401 |year=2003 |pmid=12754498 |doi=10.1038/nmat900}}</ref><ref>{{cite journal |author=Jin X, Gao P, Wang D, Hu X, Chen GZ |title=Electrochemical preparation of silicon and its alloys from solid oxides in molten calcium chloride |journal=Angew. Chem. Int. Ed. Engl. |volume=43 |issue=6 |pages=733–6 |year=2004 |pmid=14755706 |doi=10.1002/anie.200352786 |url=}}</ref> இந்தப் புதிய செயலாக்கமானது தத்துவ ரீதியாக [[FFC கேம்ப்ரிட்ஜ் செயலாக்கத்தினதைப்]] போன்றதேயாகும், அது 1996 இல்ஆம் ஆண்டில் கண்டுபிடிக்கப்பட்டது, இது போன்ற மின்பகுளி சிலிக்கான் போரஸ் சிலிக்கானாக உள்ளது, மேலும் அவை எளிதில் சில மைக்ரோமீட்டர்கள் அளவு மட்டுமே உடைய நுண்ணிய துகள்களாக மாறுகின்றன என்பது ஓர் சுவாரஸ்யமான ஆய்வக கண்டுபிடிப்பாகும், மேலும் இதனால் இது புதிய சூரிய மின்கல தொழில்நுட்பங்களுக்கான வாய்ப்புகளை வழங்குகிறது.

சீன அரசாங்கத்தின் ஆதரவில், பயன்பாடு-அளவிலான சூரிய ஆற்றல் பணித்திட்டங்களுக்கான சலுகைகள் வழங்கும் ஒரு திட்டம், சீன சோலார் பேனல் உற்பத்தியாளர்களின் புதிய அதிக முதலீட்டுக்கு வழிவகுக்கும் எனத் தெரிகிறது. சமீபத்திய ஆண்டுகளில் சோலார் பேனல்கள் உற்பத்தியில் ஏற்கனவே சீன நிறுவனங்கள் முக்கியப் பங்கு வக்கித்துவருகின்றன. சீன ஒளிமின்னழுத்த சங்கத்தின் படி, சீனா 2007 இல்ஆம் ஆண்டில் 1,180 MW வெளியீடு கொண்ட சூரிய மின்கலங்கள்/மாட்யுல்களை உற்பத்தி செய்துள்ளது, இதன் மூலம் அதுவே உலகில் பெரிய உற்பத்தி நாடாக விளங்குகிறது.<ref>{{cite web |url= http://www.reuters.com/article/pressRelease/idUS171170+03-Mar-2009+BW20090303 |title= High Growth Reported for the Global Photovoltaic Industry |publisher= Reuters |date=2009-03-10}}</ref> [[சண்டெக் பவர்]], [[யிங்லி]], [[LDK சோலார் கோ]], [[JA சோலார்]] மற்றும் [[ரெனெசோலா]] போன்ற சில சீன நிறுவனங்கள், அரசாங்கம் ‘கோல்டன் சன்’ ஊக்கத் திட்டம் அறிவிக்கப்பட்டதை அடுத்து ஒவ்வொன்றும் வட்டார அரசாங்கங்களின் துணையுடன் நூற்றுக்கணக்கான மெகாவாட் உற்பத்தி செய்யும் பணித்திட்டங்களை ஏற்கனவே அறிவித்துள்ளன.<ref>{{cite web |url= http://www.greentechmedia.com/articles/read/first-solars-gift-to-china-how-to-build-a-solar-farm/ |title= First Solar’s Gift to China: How to Build a Solar Farm |publisher= GreentechMedia |date=2009-09-10}}</ref> [[வீக்கோ]] மற்றும் [[ஆன்வெல் டெக்னாலஜிஸ் லிமிட்டெட்]] போன்ற மெல்லிய-ஏடு தொழில்நுட்பத்துடனான சோலார் மாட்யுல் உற்பத்தியாளர்களின் புதிய உருவாக்கம், உள்நாட்டு சூரியத் தொழிற்துறையின் வளர்ச்சியை மேலும் அதிகப்படுத்தும்.<ref>{{cite web |url= http://www.azom.com/news.asp?newsID=18880 |title= Veeco Make Plans to be First CIGS Thin Film Solar Manufacturer in China |publisher= AZoNetwork |date=2009-09-10}}</ref><ref>{{cite web |url= http://www.chinadaily.com.cn/cndy/2009-09/10/content_8674282.htm |title= Boost domestic solar industry |publisher= China daily |date=2009-09-10}}</ref>

மசகூசிட்ஸ், மிச்சிகன், ஓஹியோ, ஒரேகான் மற்றும் டெக்சாஸ் ஆகிய பகுதிகளிலான சூரிய மின்கலங்கள் மற்றும் மாட்யுல்களுக்கான புதிய உற்பத்தி நிலையங்கள், 2008 இலிருந்துஆம் ஆண்டிலிருந்து அடுத்த சில ஆண்டுகளுக்குள் ஆயிரக்கணக்கிலான மெகாவாட் வெளியீடு வழங்கும் [[சூரிய சாதனங்களை]] வழங்குவதாக உறுதியளித்துள்ளன:<ref>[http://apps1.eere.energy.gov/news/enn.cfm#id_12065 EERE நியூஸ்: EERE நெட்வொர்க் நியூஸ்]</ref>

2008 செப்டம்பரின்ஆம் ஆண்டு செப்டம்பர் மாதத்தின் இறுதியில், [[சேன்யோ]] எலக்ட்ரிக் கம்பெனி, லிமிட்டெட். நிறுவனம் சோலார் [[இங்காட்]]கள் மற்றும் [[செதில்]]களுக்கான உற்பத்தி நிலையங்களை ஓரிகோனில் சாலேமில் அமைக்கப்போவதாக அறிவித்துள்ளது. இந்த உற்பத்தி நிலையம் அக்டோபர் 2009 இல்ஆம் ஆண்டு அக்டோபரில் செயல்படத் தொடங்கி அதன் முழு உற்பத்தித் திறனான, ஓராண்டுக்கு 70 மெகாவாட் (MW) [[சோலார் செதில்களை]] 2010 ஏப்ரலுக்குள் அடையும்.

2008 அக்டோபர் மத்தியில், [[ஒரீகோனில் உள்ள ஹில்ஸ்போரோவில்]] உள்ள [[சோலார் வேர்ல்டு]] AG நிறுவனம் 2011 இல்ஆம் ஆண்டில் தனது முழு உற்பத்தியை அடைந்ததும் ஆண்டுக்கு 500 MW சூரிய மின்கலங்களை உற்பத்தி செய்யும் என எதிர்பார்க்கப்படுகிறது.