காலியம் இண்டியம் ஆர்சனைடு ஆண்டிமோணைடு பாசுபைடு
காலியம் இண்டியம் ஆர்சனைடு ஆண்டிமோனைடு பாசுபைடு (Gallium indium arsenide antimonide phosphide) என்பது GaInAsSbP அல்லது GaInPAsSb என்ற வாய்ப்பாட்டால் குறிக்கப்படும் ஒரு குறைக்கடத்திப் பொருளாகும். GaInAsSbP சேர்மத்தை இடை அகச்சிவப்பு ஒளி உமிழும் இருமுனையங்கள் பெருமளவில் தயாரிப்பதற்கும்[1][2], வெப்ப ஒளிமின்னழுத்தக் கலம் தயாரிக்கவும் பயன்படுத்தப்படுகிறது[3].
GaInPAsSb அடுக்குகளை பல்லின ஆடைப்படல முறையில் இண்டியம் ஆர்சனைடு, காலியம் ஆண்டிமோனைடு ஆகியவற்றின் மேல் வளர்க்கலாம். சட்டகத்தில் பொருந்தும்படியாக பகுதிப்பொருட்களின் பகுதிகளை இசைவிக்கலாம். இக்கலப்புலோகத்தில் ஐந்து தனிமங்கள் உள்ள காரணத்தால் கூடுதல் விடுமையை அனுமதிக்கிறது. ஆற்றல் இடைவெளியை மாற்றிக் கொள்வதன் மூலமாக சட்டக மாறிலியை உறுதிப்படுத்திக் கொள்ளலாம். உதாரணமாக, Ga0.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87 என்பது InAs கட்டமைப்புக்குப் பொருத்தமான சட்டகம் ஆகும்[2].
மேற்கோள்கள்
தொகு- ↑ Room temperature midinfrared electroluminescence from GaInAsSbP light emitting diodes, A. Krier, V. M. Smirnov, P. J. Batty, V. I. Vasil’ev, G. S. Gagis, and V. I. Kuchinskii, Appl. Phys. Lett. vol. 90 pp. 211115 (2007) எஆசு:10.1063/1.2741147
- ↑ 2.0 2.1 Lattice-matched GaInPAsSb/InAs structures for devices of infrared optoelectronics, M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G. N. Talalakin, V. V. Shustov, V. V. Kuznetsov and E. A. Kognovitskaya, Semiconductors vol. 36 num. 8 pp. 944-949 (2002) எஆசு:10.1134/1.1500478
- ↑ Low Bandgap GaInAsSbP Pentanary Thermophotovoltaic Diodes, K. J. Cheetham, P. J. Carrington, N. B. Cook and A. Krier, Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 95 pp. 534-537 (2011) எஆசு:10.1016/j.solmat.2010.08.036