மின்னணு நகர்திறன்
மின்னணு நகர்திறன் (Electron mobility) என்பது ஒரு மின்புலத்தினால் தள்ளப்படும் எதிர்மின்னி (மின்னணு) எவ்வளவு சீக்கரமாக ஒரு உலோகம் அல்லது குறைக்கடத்தியின் மீது நகர்ந்து செல்கிறது என்பதைக் குறிப்பதாகும். குறைக்கடத்தியில், மின்துளை நகர்திறன் எனப்படும் மின்துளைகளின் ஒப்பியல் மதிப்பு காணப்படுகிறது. பொதுவாக, மின்னணு மற்றும் மின்துளை ஆகிய இரண்டின் நகர்திறனையும் குறிப்பதற்கு மின்னூட்டு நகர்திறன் என அழைக்கப்பெறுகிறது.[1][2][3]
மேற்கோள்கள்
தொகு- ↑ "NSM Archive - Physical Properties of Semiconductors". www.matprop.ru. பார்க்கப்பட்ட நாள் 2020-07-25.
- ↑ Umansky, V.; Heiblum, M.; Levinson, Y.; Smet, J.; Nübler, J.; Dolev, M. (2009). "MBE growth of ultra-low disorder 2DEG with mobility exceeding 35×106 cm2 V−1 s−1". Journal of Crystal Growth 311 (7): 1658–1661. doi:10.1016/j.jcrysgro.2008.09.151. Bibcode: 2009JCrGr.311.1658U.
- ↑ Dürkop, T.; Getty, S. A.; Cobas, Enrique; Fuhrer, M. S. (2004). "Extraordinary Mobility in Semiconducting Carbon Nanotubes". Nano Letters 4 (1): 35. doi:10.1021/nl034841q. Bibcode: 2004NanoL...4...35D.