காலியம் இண்டியம் ஆண்டிமோனைடு
காலியம் இண்டியம் ஆண்டிமோனைடு (Gallium indium antimonide) என்பது GaInSb என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால் விவ்ரிக்கப்படும் மூன்றாம் நிலை III-V குறைக்கடத்தி சேர்மமாகும். இண்டியம் காலியம் ஆண்டிமோனைடு (InGaSb) என்ற பெயராலும் இது அழைக்கப்படுகிறது. காலியம் ஆண்டிமோனைடு மற்றும் இண்டியம் ஆண்டிமோனைடு ஆகியவற்றுக்கிடையிலான கலப்புலோகமாகவும் இது பார்க்கப்படுகிறது. காலியம் மற்றும் இண்டியம் இடையே எந்த விகிதத்தையும் இந்த கலப்புலோகம் கொண்டிருக்கலாம். GaInSb என்பது பொதுவாக எந்த ஒரு விகிதத்தினாலான உலோகக் கலவையையும் குறிக்கிறது.
தயாரிப்பு
தொகுகாலியம் இண்டியம் ஆண்டிமோனைடு படிகங்கள் மூலக்கூற்று கற்றை படிகவளர்ச்சி முறை,[1]வேதிக் கற்றை படிகவளர்ச்சி முறை,[2] நீர்மநிலை படிகவளர்ச்சி [3]வகைகள் மூலம் காலியம் ஆர்சனைடு மற்றும் ஆண்டிமோனைடு அடிமூலக்கூறுகள் மீது காலியம் இண்டியம் ஆண்டிமோனைடு படிகங்கள் வளர்க்கப்படுகின்றன. பெரும்பாலும் மற்ற III-V சேர்மங்களுடன் அடுக்கு பல்லுருவ கட்டமைப்புகளுடன் இணைக்கப்படுகிறது.
மின்னணு பண்புகள்
தொகு
காலியம் இண்டியம் ஆண்டிமோனைடு உலோகக் கலவைகளின் ஆற்றல் இடைவெளியும் அணிக்கோவை மாறிலியும் தூய நிலை காலியம் ஆண்டிமனி (a = 0.610 நானோமீட்டர், Eg = 0.73 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு) அளவாகவும், தூய நிலை இண்டியம் ஆண்டிமணி (a = 0.648 நானோமீட்டர், Eg = 0.17 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு) அளவாகவும் உள்ளன.[4][6] அனைத்து பகுதிக்கூறுகளும் சுத்தமான GaSb மற்றும் InSb கலப்பில் உள்ளது போல ஆற்றல் இடைவெளி நேர்மறையாக உள்ளது.
பயன்பாடுகள்
தொகுகாலியம் இண்டியம் ஆண்டிமோனைடு போன்ற பல்லுருகட்டமைப்புகள் கொண்ட சேர்மங்கள் அருகாமையில் இருந்து நடுத்தரத் தொலைவு அகச்சிவப்பு ஒளியுணரிகள்,[7][8][9] திரிதடையங்கள்,[10][11] ஆல் விளைவு உணரிகள் [12] ஆகியவற்றில் பயன்படுத்தப்படுத்த ஆய்வில் உள்ளன.
மேற்கோள்கள்
தொகு- ↑ "Molecular beam epitaxy of GaSb and InGaSb". Journal of Crystal Growth 73 (3): 641–645. 1985. doi:10.1016/0022-0248(85)90031-4. https://archive.org/details/sim_journal-of-crystal-growth_1985-12_73_3/page/641.
- ↑ "MOMBE (Metalorganic Molecular Beam Epitaxy) growth of InGaSb on GaSb". Journal of Crystal Growth 95 (1): 158–162. 1989. doi:10.1016/0022-0248(89)90372-2.
- ↑ "Solution growth of thick III–V antimonide alloy epilayers (InAsSb, InGaSb, InGaAsSb, AlGaAsSb, and InAsSbP) for "virtual substrates"". Journal of Crystal Growth 225 (2): 236–243. 2001. doi:10.1016/S0022-0248(01)00843-0.
- ↑ 4.0 4.1 "Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys". Journal of Applied Physics 89 (11): 5815–5875. 2001. doi:10.1063/1.1368156. Bibcode: 2001JAP....89.5815V.
- ↑ "Band gaps and refractive indices of AlGaAsSb, GaInAsSb, and InPAsSb: Key properties for a variety of the 2–4 μm optoelectronic device applications". Journal of Applied Physics 61 (10): 4869–4876. 1987. doi:10.1063/1.338352.
- ↑ "Band gaps and refractive indices of AlGaAsSb, GaInAsSb, and InPAsSb: Key properties for a variety of the 2–4 μm optoelectronic device applications". Journal of Applied Physics 61 (10): 4869–4876. 1987. doi:10.1063/1.338352.
- ↑ "InAs/GaInSb superlattices as a promising material system for third generation infrared detectors". Infrared Physics & Technology 48 (1): 39–52. 2006. doi:10.1016/j.infrared.2005.01.003.
- ↑ "Ultra-fast photodetectors based on high-mobility indium gallium antimonide nanowires". Nature Communications (Nature Publishing Group) 10 (1): 1664. 2019. doi:10.1038/s41467-019-09606-y. பப்மெட்:30971702.
- ↑ "InGaSb photodetectors using an InGaSb substrate for 2μm applications". Applied Physics Letters 85 (11): 1874–1876. 2004. doi:10.1063/1.1787893.
- ↑ "Device Characteristics of InGaSb/AlSb High-Hole-Mobility FETs". IEEE Electron Device Letters 33 (7): 964–966. 2012. doi:10.1109/LED.2012.2193656.
- ↑ "Molecular beam epitaxial growth of metamorphic AlInSb/GaInSb high-electron-mobility-transistor structures on GaAs substrates for low power and high frequency applications". Journal of Applied Physics 109 (3): 033706. 2011. doi:10.1063/1.3544041.
- ↑ "Temperature stable Hall effect sensors". IEEE Sensors Journal 6 (1): 106–110. 2006. doi:10.1109/JSEN.2005.860362.