அணு அடுக்கு செதுக்கல்
அணு அடுக்கு செதுக்கல் (Atomic layer etching) குறைகடத்தி உற்பத்தியில் ஒரு வளர்ந்து வரும் நுட்பமாகும், இதில் ஒரு சுழற்சி வேதியியல் மாற்றியமைத்தல் வழிமுறைகளுக்கு இடையில் மாறும், இது செதிலின் மேல் அணு அடுக்குகளை மட்டுமே பாதிக்கும், மற்றும் வேதியியல் மாற்றப்பட்ட பகுதிகள் மட்டும் நீக்கப்படும் படிமுறைகளை எறிந்து, தனி அணு அடுக்குகள். குளோரின் மற்றும் வினையுடனான வினையுடனான எதிர்வினையால், ஆர்கான் அயனங்களுடன் மாற்றியமைப்பதன் மூலம், நிலையான எடுத்துக்காட்டாக உள்ளது.
எதிர்வினை அயன் செதுக்கலை (reactive ion etching) விட இது ஒரு சிறந்த கட்டுப்பாட்டு செயல்முறையாகும், ஆனால் வணிக பயன்பாட்டுடன் கூடிய சிக்கல் செயல்திறன் கொண்டது; அதிநவீன வாயு கையாளுதல் தேவைப்படுகிறது, மற்றும் ஒரு நொடிக்கு ஒரு அணு அடுக்கின் அகற்றுதல் விகிதம் கலைச் சூழலில் உள்ளது.[1]
பொருள் வைப்பதற்கான சமமான செயல்முறை அணு அடுக்குப் படிதல் (atomic layer deposition, ALD) ஆகும். 2007 ஆம் ஆண்டில் இருந்து பின்லாந்திலும், 1985 ஆம் ஆண்டு முதல் இன்டெல் நிறுவனமும் மென் படல மின்னொளிர்வு சாதனங்களை தயாரிப்பதில் இருந்து உயர்-κ மின்கடத்தா அடுக்குகளுக்கு பயன்படுத்தியது..[2]
மேற்கோள்கள்
தொகு- ↑ "Atomic Layer Etch now in Fab Evaluations". 2014-08-04. Archived from the original on 2017-07-15. பார்க்கப்பட்ட நாள் 2017-06-29.
- ↑ Puurunen, Riikka L. (2014-12-01). "A Short History of Atomic Layer Deposition: Tuomo Suntola's Atomic Layer Epitaxy" (in en). Chemical Vapor Deposition 20 (10-11-12): 332–344. doi:10.1002/cvde.201402012. பன்னாட்டுத் தர தொடர் எண்:1521-3862. http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/cvde.201402012/abstract.