எதிர்மின்னி: திருத்தங்களுக்கு இடையிலான வேறுபாடு
உள்ளடக்கம் நீக்கப்பட்டது உள்ளடக்கம் சேர்க்கப்பட்டது
சி →காட்சியாக்கல்: clean up, replaced: இதற்க்கு → இதற்கு using AWB |
சி →காட்சியாக்கல்: typo, replaced: அதற்க்கு → அதற்கு using AWB |
||
வரிசை 55:
குறைந்த ஆற்றல் எலக்ட்ரான் சிதறல் (LEED) எலக்ட்ரான்களின் ஒரு கற்றை ஒரு படிக பொருளின் கட்டமைப்பை தீர்மானிக்கபயன்படுகிறது.இதற்குப் பயன்படும் எலக்ட்ரான்கள் தேவையான ஆற்றல் வீச்சு பொதுவாக 20-200 eV ஆக உள்ளது. உயர் ஆற்றல் பிரதிபலிப்பு எலக்ட்ரான் சிதறல் (RHEED) நுட்பம் படிக பொருட்கள் மேற்பரப்பு குணாதிசயத்தை அறிய பயன்படுத்துபடுகிறது.இதற்க்கான ஆற்றல் வீச்சு பொதுவாக 8-20 keV மற்றும் படுகோணம் 1-4 டிகிரி ஆக உள்ளது.
எலக்ட்ரான் நுண்ணோக்கியில் எலக்ட்ரான்கள் அவற்றின் இயக்கம் திசை, கோணம் மற்றும் ஆற்றல் கற்றை பொருள் தொடர்பு பண்புகள் மூலம் பொருள் அணுவியல் அளவுகளில் தீர்க்கப்பட எலக்ட்ரான் கற்றை படங்களை தயாரிக்க முடியும்.
எலக்ட்ரான் நுண்நோக்கியில் 2 முக்கிய வகைகள் உள்ளன: அவை பரிமாற்றம் மற்றும் ஸ்கேனிங். பரிமாற்ற எலக்ட்ரான் நுண்நோக்கி ஒரு பொருள் துண்டு வழியாக எலக்ட்ரான்கள் ஒரு கற்றைகளை கொண்டு சென்று அதன் மறுபுறம் அதன் அமைப்பு ஓர் உணர்வி முஉளம் உணரப்படுகின்றது. ஸ்கேனிங் எலக்ட்ரான் நுண்நோக்கி ஒரு முப்பரிமாண படத்தை தயாரிக்கலாம் இதன் உருபெருக்கும் திறன் 100 × இருந்து 1,000,000 × அல்லது
=== பிற பயன்பாடுகள் ===
கட்டற்ற எலக்ட்ரான் லேசர் கற்றை எதிரெதிர் திசைகளில் உள்ள இருதுருவ காந்த வரிசைகள் கொண்ட ஒரு ஜோடி செழுத்திவழியாக செல்கிறது.இவை கதிரியக்க துறையில் கடுமையாக அதிர்வெண்பெருக்கத்தை உருவாகப்பயன்படுகின்றது.வை எக்ஸ் கதிர் உருவாக்கத்திலும் முக்கிய பங்கு வகிக்கிறது.
| |||