காலியம் அசிட்டைலசிட்டோனேட்டு

காலியம் அசிட்டைலசிட்டோனேட்டு
பெயர்கள்
	ஐயூபிஏசி பெயர் (Z)-4-bis[(Z)-1-methyl-3-oxobut-1-enoxy]gallanyloxypent-3-en-2-one
	வேறு பெயர்கள் காலியம் அசிட்டைலசிட்டோனேட்டு
இனங்காட்டிகள்
சிஏஎசு எண்	14405-43-7
பப்கெம்	16717626
பண்புகள்
மூலக்கூறு வாய்பாடு	GaC15H21O6
வாய்ப்பாட்டு எடை	367.05 கி/மோல்
தோற்றம்	வெண் திண்மம்
அடர்த்தி	1.42 கி/செ.மீ3
	மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும்; பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும். வார்ப்புரு மேற்கோள்கள்

காலியம் அசிட்டைலசிட்டோனேட்டு (Gallium acetylacetonate) என்பது Ga(C₅H₇O₂)₃ என்ற மூலக்கூற்று வாய்பாட்டால் விவரிக்கப்படும் ஒரு கரிம வேதியியல் சேர்மமாகும். இந்த அணைவுச் சேர்மத்தை சுருக்கமாக Ga(acac)₃ என்ற வாய்பாட்டாலும் அடையாளப்படுத்தலாம். மூன்று அசிட்டைலசிட்டோனேட்டு ஈந்தணைவிகளைக் கொண்ட இந்த காலியம் அணைவுச் சேர்மம் ஆராய்ச்சியில் பயன்படுத்தப்படுகிறது. மூலக்கூறு D3 சமச்சீர்நிலையைக் கொண்டுள்ளது. மற்ற எண்முக திரிசு(அசிட்டைலசிட்டோனேட்டு)களுடன் ஒத்த வடிவமைப்பைக் கொண்டுள்ளது.^[1]

பயன்கள்

காலியம் ஆக்சைடு மெல்லிய படலங்களை அணுவடுக்குப் படிகப்படலவியல் மூலம் தண்ணீர் அல்லது ஓசோனை முன்னோடிச் சேர்மமாக காலியம் அசிட்டைலசிட்டோனேட்டுடன் சேர்ப்பதன் மூலம் உருவாக்க முடியும்.^[2] காலியம் அசிட்டைலசிட்டோனேட்டைப் பயன்படுத்தி உயர் தூய்மையான காலியம் நைட்ரைடு நுண் கம்பிகள் மற்றும் நுண் ஊசிகளை குறைந்த வெப்பநிலை வளர்ச்சிக்கும் பயன்படுத்தப்படலாம்.^[3]^[4]

மேற்கோள்கள்

↑ Dymock, K.; Palenik, G. J. (1974). "Tris(acetylacetonato)gallium(III)". Acta Crystallographica Section B: Structural Crystallography and Crystal Chemistry 30 (5): 1364–1366. doi:10.1107/S0567740874004833. Bibcode: 1974AcCrB..30.1364D.
↑ Nieminen, Minna; Niinistö, Lauri; Rauhala, Eero (1996). "Growth of gallium oxide thin films from gallium acetylacetonate by atomic layer epitaxy". J. Mater. Chem. 6: 27–31. doi:10.1039/JM9960600027.
↑ Chang, Ko-Wei; Wu, Jih-Jen (2002). "Low-Temperature Catalytic Synthesis of Gallium Nitride Nanowires". The Journal of Physical Chemistry B 106 (32): 7796–7799. doi:10.1021/jp026152t.
↑ Chang, K.-W.; Wu, J.-J. (2003). "Temperature-controlled catalytic growth of one-dimensional gallium nitride nanostructures using a gallium organometallic precursor". Applied Physics A: Materials Science & Processing 77 (6): 769–774. doi:10.1007/s00339-003-2229-y. Bibcode: 2003ApPhA..77..769C.

[1] Dymock, K.; Palenik, G. J. (1974). "Tris(acetylacetonato)gallium(III)". Acta Crystallographica Section B: Structural Crystallography and Crystal Chemistry 30 (5): 1364–1366. doi:10.1107/S0567740874004833. Bibcode: 1974AcCrB..30.1364D.

[ALE-2] Nieminen, Minna; Niinistö, Lauri; Rauhala, Eero (1996). "Growth of gallium oxide thin films from gallium acetylacetonate by atomic layer epitaxy". J. Mater. Chem. 6: 27–31. doi:10.1039/JM9960600027.

[GaN-3] Chang, Ko-Wei; Wu, Jih-Jen (2002). "Low-Temperature Catalytic Synthesis of Gallium Nitride Nanowires". The Journal of Physical Chemistry B 106 (32): 7796–7799. doi:10.1021/jp026152t.

[VLS-4] Chang, K.-W.; Wu, J.-J. (2003). "Temperature-controlled catalytic growth of one-dimensional gallium nitride nanostructures using a gallium organometallic precursor". Applied Physics A: Materials Science & Processing 77 (6): 769–774. doi:10.1007/s00339-003-2229-y. Bibcode: 2003ApPhA..77..769C.

[1]

[2]

[3]

[4]