நிக்கல் மோனோசிலிசைடு
நிக்கல் மோனோசிலிசைடு (Nickel monosilicide) என்பது NiSi என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால் விவரிக்கப்படும் ஒரு கனிம வேதியியல் சேர்மம் ஆகும். நிக்கலும் சிலிக்கானும் சேர்ந்து இந்த உலோகங்களிடை சேர்மம் உருவாகிறது. மற்ற நிக்கல் சிலிசைடுகளைப் போலவே, நுண் மின்னணுவியல் பகுதியில் NiSi சேர்மமும் முக்கியத்துவம் வாய்ந்ததாகும். இச்சேர்மம் 1000 பாகை செல்சியசு வெப்பநிலையில் உருகுகிறது.[2]
| |
| இனங்காட்டிகள் | |
|---|---|
12035-57-3 
| |
| ChemSpider | 8351596 |
InChI
| |
| யேமல் -3D படிமங்கள் | Image |
| பப்கெம் | 10176091 |
| |
| பண்புகள் | |
| NiSi | |
| வாய்ப்பாட்டு எடை | 86.778 கி/மோல் |
| உருகுநிலை | 1,000 °C; 1,832 °F; 1,273 K[2] |
| −0.3×10−6 மின்காந்த அலகு/கி[1] | |
| கட்டமைப்பு | |
| படிக அமைப்பு | நேர்ச்சாய்சதுரம், oP8 |
| புறவெளித் தொகுதி | Pnma, No. 62 |
| Lattice constant | a = 0.519 நானோமீட்டர், b = 0.333 நானோமீட்டர், c = 0.5628 நானோமீட்டர் |
மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும் பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும். | |
தயாரிப்பு
தொகுநிக்கல் மோனோசிலிசைடை சிலிக்கான் மீது ஒரு நிக்கல் அடுக்கை படிய தொடர்ந்து காய்ச்சிக் குளிரவைத்தல் மூலம் தயாரிக்கலாம். 4 நானோமீட்டர் அளவுக்கு மேல் தடிமன் கொண்ட Ni படிவுகளின் நிகழ்வுகளில் இயல்பான கட்ட மாற்றம் Ni2Si சேர்மத்திற்கு 250 °செல்சியசு வெப்பநிலையிலும் தொடர்ந்து NiSi சேர்மத்திற்கு 350 °செல்சியசு வெப்பநிலையிலும் மற்றும் NiSi2 சேர்மத்திற்கு தோராயமாக 800 °செல்சியசு வெப்பநிலையிலும் நிலைமாற்றம் கொடுக்கப்படுகிறது.[3] ஆரம்ப Ni தடிமன் 4 நானோமீட்டருக்கும் கீழே உள்ள படிவுகளுக்கு நேர்ச்சாய்சதுர Ni2Si சேர்மத்திலிருந்து நிக்கல் மோனோசிலிசைடு கட்டத்தைத் தவிர்த்து படிக வளர்ச்சி நிலைக்கு (NiSi2−x) நேரடி மாற்றம் காணப்படுகிறது.[4]
பயன்கள்
தொகுபல பண்புகள் நிக்கல் மோனோசிலிசைடு சேர்மத்தை நுண் மின்னணுவியல் பகுதியில் ஒரு முக்கியமான உள்ளூர் தொடர்புப் பொருளாக ஆக்குகின்றன. அவற்றுள் குறைக்கப்பட்ட வெப்ப அளவான 13-14 μΩ·செ.மீ குறைந்த எதிர்ப்பாற்றல் மற்றும் மாற்று சேர்மங்களுடன் ஒப்பிடும்போது சிலிக்கான் நுகர்வு குறைக்கப்படுகிறது.[5]
மேற்கோள்கள்
தொகு- ↑ Shinoda, Daizaburo; Asanabe, Sizuo (1966). "Magnetic Properties of Silicides of Iron Group Transition Elements". Journal of the Physical Society of Japan 21 (3): 555. doi:10.1143/JPSJ.21.555. Bibcode: 1966JPSJ...21..555S.
- ↑ 2.0 2.1 Gas, P.; d’Heurle, F. M. (1998). "Diffusion in silicides". In Beke, D. L. (ed.). Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter. Vol. 33A. Springer. pp. 1–38. எண்ணிம ஆவணச் சுட்டி:10.1007/10426818_13. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 3-540-60964-4.
- ↑ d'Heurle, F. M.; Gas, P. (February 1986). "Kinetics of formation of silicides: A review". Journal of Materials Research 1 (1): 205–221. doi:10.1557/JMR.1986.0205. Bibcode: 1986JMatR...1..205D.
- ↑ Wolf, Philipp M.; Pitthan, Eduardo; Zhang, Zhen; Lavoie, Christian; Tran, Tuan T.; Primetzhofer, Daniel (2022-02-21). "Direct Transition from Ultrathin Orthorhombic Dinickel Silicides to Epitaxial Nickel Disilicide Revealed by In Situ Synthesis and Analysis" (in en). Small 18 (14): 2106093. doi:10.1002/smll.202106093. பன்னாட்டுத் தர தொடர் எண்:1613-6810. பப்மெட்:35191181.
- ↑ Lavoie, C.; d’Heurle, F.M.; Detavernier, C.; Cabral, C. (November 2003). "Towards implementation of a nickel silicide process for CMOS technologies". Microelectronic Engineering 70 (2–4): 144–157. doi:10.1016/S0167-9317(03)00380-0.