பிசுமத் சிலிக்கான் ஆக்சைடு
பிசுமத் சிலிக்கான் ஆக்சைடு (Bismuth silicon oxide) என்பது பிசுமத், சிலிக்கான் மற்றும் ஆக்சிசன் தனிமங்கள் சேர்ந்து உருவாகும் கனிம வேதியியல் திண்மமாகும். வெவ்வேறு இயைபுகளில் காணப்பட்டாலும் இச்சேர்மத்தின் பொதுவான மூலக்கூற்று வாய்ப்பாடு Bi12SiO20 ஆகும். இயற்கையில் இச்சேர்மம் சில்லெனைட்டு என்ற கனிமமாகக் கிடைக்கிறது. பிசுமத்தையும் சிலிக்கான் ஆக்சைடுகளையும் சேர்த்து சூடுபடுத்தி செயற்கை முறையிலும் இதைத் தயாரிக்கலாம். சொக்ரால்சுகி படிக வளர்ப்புச் செயல்முறையில் சென்டி மீட்டர் அளவுள்ள Bi12SiO20 படிகங்களை வளர்க்கலாம். அழுத்தமின் விளைவு, மின் ஒளியியல், மீள்மை ஒளியியல், ஒளி மின்கடத்துகை பண்புகளை இது வெளிப்படுத்துகிறது. எனவே இவை இடஞ்சார்ந்த ஒளிக்குறிப்பேற்றிகள், ஒலிதாமத சுற்றுகள் மற்றும் முப்பரிமாணப்படம் பதிவு செய்யும் கருவி ஆகியனவற்றில் ஆற்றல் பயன்பாடுகளைக் கொண்டுள்ளது.[1]
Bi12SiO20 crystal[1]
| |
Bi12SiO20 படிக அமைப்பு [2]
| |
பண்புகள் | |
---|---|
Bi12SiO20 | |
வாய்ப்பாட்டு எடை | 2855.82 |
மணம் | நெடியற்றது |
அடர்த்தி | 9.20 கி/செ.மீ3[2] |
உருகுநிலை | 800 °செல்சியசு[3] |
கரையாது | |
கட்டமைப்பு | |
படிக அமைப்பு | பொருள்மைய கனசதுரம், cI66[2] |
புறவெளித் தொகுதி | I23, எண். 197 |
மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும் பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும். | |
மேற்கோள்கள்
தொகு- ↑ 1.0 1.1 Shen, Chuanying; Zhang, Huaijin; Zhang, Yuanyuan; Xu, Honghao; Yu, Haohai; Wang, Jiyang; Zhang, Shujun (2014). "Orientation and Temperature Dependence of Piezoelectric Properties for Sillenite-Type Bi12TiO20 and Bi12SiO20 Single Crystals". Crystals 4 (2): 141. doi:10.3390/cryst4020141.
- ↑ 2.0 2.1 2.2 Yeh, T. S.; Hu, L. J.; Tu, S. L.; Yang, S. J.; Hsu, S. E.; Hsu, Ken (1993). "Growth and characterization of Bi12(Si1−xTix)O20 mixed crystals". Journal of Applied Physics 73 (11): 7872. doi:10.1063/1.353938.
- ↑ Riscob, B.; Shkir, Mohd.; Ganesh, V.; Vijayan, N.; Maurya, K.K.; Kishan Rao, K.; Bhagavannarayana, G. (2014). "Synthesis, crystal growth and mechanical properties of Bismuth Silicon Oxide (BSO) single crystal". Journal of Alloys and Compounds 588: 242. doi:10.1016/j.jallcom.2013.11.038.