இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு
இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு (Scandium nitride) என்பது ScN என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால் விவரிக்கப்படும் ஒரு கனிம வேதியியல் சேர்மமாகும். இசுக்காண்டியம் நேர்மின் அயனியும் நைட்ரைடு எதிர்மின் அயனியும் சேர்ந்து உருவாகும் இந்த இருமச் சேர்மம் III-V மறைமுக ஆற்றல் இடைவெளி குறைக்கடத்தியாக வகைப்படுத்தப்படுகிறது. தங்குதன் படலத்தின் மீது பதங்கமாதல் மற்றும் மறு ஒடுக்கம் மூலம் இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு படிகங்களாக வளர்கிறது.[1] 0.451 நானோமீட்டரின் அடுக்கு குணக மாறிலியுடன் 0.9 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு மறைமுக ஆற்றல் இடைவெளியும் 2 முதல் 2.4 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு வரையான நேரடி ஆற்றல் இடைவெளியும் கொண்ட ஒரு பாறை-உப்பு படிக அமைப்பை இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு கொண்டுள்ளது.[1][2] நைட்ரசன் வாயுவை இண்டியம்-இசுக்காண்டியம் உருகல் மூலம் கரைத்து இந்த படிகங்களை தயாரிக்க முடியும். மேக்னட்ரான் தெறிப்புப்பூச்சு போன்ற பிற படிவு முறைகளிலும் இப்படிகங்களை தயாரிக்க முடியும்.[2][3] சிலிக்கான் டை ஆக்சைடு (SiO2) அல்லது ஆபினியம் டை ஆக்சைடு (HfO2) அடி மூலக்கூறில் உள்ள குறைக்கடத்திகளுக்கு இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு ஒரு பயனுள்ள நுழைவாயிலாகும்.[4]
| |
| பெயர்கள் | |
|---|---|
| ஐயூபிஏசி பெயர்
இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு
Scandium nitride | |
| வேறு பெயர்கள்
அசானிலிடின் இசுக்காண்டியம்
நைட்ரிடோ இசுக்காண்டியம் | |
| இனங்காட்டிகள் | |
| 25764-12-9 | |
| ChemSpider | 105117 |
| EC number | 247-247-2 |
InChI
| |
| யேமல் -3D படிமங்கள் | Image |
| பப்கெம் | 117629 |
| |
| பண்புகள் | |
| ScN | |
| வாய்ப்பாட்டு எடை | 58.963 |
| அடர்த்தி | 4.4 கி/செ.மீ3 |
| உருகுநிலை | 2,600 °C (4,710 °F; 2,870 K) |
| தீங்குகள் | |
| GHS pictograms | 
|
| GHS signal word | அபாயம் |
| H228 | |
| தொடர்புடைய சேர்மங்கள் | |
| ஏனைய எதிர் மின்னயனிகள் | இசுக்காண்டியம் பாசுபைடு இசுக்காண்டியம் ஆர்சினைடு இசுக்காண்டியம் ஆண்டிமோனைடு இசுக்காண்டியம் பிசுமுத்தைடு |
| ஏனைய நேர் மின்அயனிகள் | இட்ரியம் நைட்ரைடு லித்துவேத்தியம் நைட்ரைடு |
மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும் பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும். | |
மேற்கோள்கள்
தொகு- ↑ 1.0 1.1 Gu, Zheng; Edgar, J H; Pomeroy, J; Kuball, M; Coffey, D W (August 2004). "Crystal Growth and Properties of Scandium Nitride". Journal of Materials Science: Materials in Electronics 15 (8): 555–559. doi:10.1023/B:JMSE.0000032591.54107.2c.
- ↑ 2.0 2.1 Biswas, Bidesh; Saha, Bivas (2019-02-14). "Development of semiconducting ScN". Physical Review Materials 3 (2): 020301. doi:10.1103/physrevmaterials.3.020301. பன்னாட்டுத் தர தொடர் எண்:2475-9953. Bibcode: 2019PhRvM...3b0301B. http://dx.doi.org/10.1103/physrevmaterials.3.020301.
- ↑ Zhang, Guodong; Kawamura, Fumio; Oshima, Yuichi; Villora, Encarnacion; Shimamura, Kiyoshi (4 August 2016). "Synthesis of Scandium Nitride Crystals from Indium–Scandium Melts". International Journal of Applied Ceramic Technology 13 (6): 1134–1138. doi:10.1111/ijac.12576.
- ↑ Yang, Hyundoek; Heo, Sungho; Lee, Dongkyu; Choi, Sangmoo; Hwang, Hyunsang (13 January 2006). "Effective Work Function of Scandium Nitride Gate Electrodes on SiO2 and HfO2". Japanese Journal of Applied Physics 45 (2): L83–L85. doi:10.1143/JJAP.45.L83. Bibcode: 2006JaJAP..45L..83Y.