தாண்டலம் நைட்ரைடு

தாண்டலம் நைட்ரைடு
பெயர்கள்
	வேறு பெயர்கள் தாண்டலம் ஒருநைட்ரைடு
இனங்காட்டிகள்
சிஏஎசு எண்	12033-62-4
EC number	234-788-4
	InChI InChI=1S/N.Ta;
யேமல் -3D படிமங்கள்	Image
பப்கெம்	83832
	SMILES N#[Ta];
பண்புகள்
மூலக்கூறு வாய்பாடு	TaN
வாய்ப்பாட்டு எடை	194.955 கி/மோல்
தோற்றம்	கருப்பு நிறப் படிகங்கள்
அடர்த்தி	14.3 கி/செ.மீ3
உருகுநிலை	3,090 °C (5,590 °F; 3,360 K)
நீரில் கரைதிறன்	கரையாது
கட்டமைப்பு
படிக அமைப்பு	அறுகோணம், hP6
புறவெளித் தொகுதி	P-62m, No. 189
தீங்குகள்
தீப்பற்றும் வெப்பநிலை	எளிதில் தீப்பற்றாது
தொடர்புடைய சேர்மங்கள்
ஏனைய நேர் மின்அயனிகள்	வனேடியம் நைட்ரைடு; நையோபியம் நைட்ரைடு
	மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும்; பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும்.
	verify (இது: /?)
	Infobox references

தாண்டலம் நைட்ரைடு (Tantalum nitride) TaN என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாடு கொண்ட ஒரு கனிம வேதியியல் சேர்மமாகும். இச்சேர்மம் சில சமயங்களில் தாமிர உலோகம் அல்லது பிற கடத்தும் உலோகங்களின் அடுக்குகளுக்கு இடையில் தடை அல்லது பசை அடுக்குகள் உருவாக்கவும் மற்றும் மின்கடத்தாப்பொருள் காப்பி படலங்களான வெப்ப ஆக்சைடுகளாகவும் பயன்படுத்தப்படுகிறது.தொகுப்பு மின்சுற்றுகள் தயாரிக்கும் பொழுது சிலிக்கான் மீது சீவலகளாக இம்மென்படலங்கள் படிகின்றன. மென்படலமேற்றப்பட்ட மேற்பரப்பு தடையிகள் உருவாக்கவும் மற்றும் சில மின்னணு பயன்பாடுகளையும் இச்சேர்மம் கொண்டுள்ளது.^[1]

மேற்கோள்கள் தொகு

↑ Akashi, Teruhisa (2005). "Fabrication of a Tantalum-Nitride Thin-Film Resistor with a Low-Variability Resistance" (PDF). பார்க்கப்பட்ட நாள் 2006-09-02.

[1] Akashi, Teruhisa (2005). "Fabrication of a Tantalum-Nitride Thin-Film Resistor with a Low-Variability Resistance" (PDF). பார்க்கப்பட்ட நாள் 2006-09-02.

[1]