அலுமினியம் ஆண்டிமோணைடு
அலுமினியம் ஆண்டிமோணைடு ( Aluminium antimonide ) (AlSb) என்பது தனிம வரிசை அட்டவணையில் குழுக்கள் III மற்றும் V இல் உள்ள தனிமங்களான அலுமினியமும் ஆண்டிமனியும் சேர்ந்த ஒரு குறை மின்கடத்தியாகும். இதனுடைய நெய்யரி மாறிலி 0.61 நானோ மீட்டர் ஆகும். திடப்பொருளுக்குள் இருக்கும் எலக்ட்ரானின் ஆற்றல் வீத அளவீட்டின்படி இதனுடைய மறைமுக பட்டை இடைவெளி தோராயமாக 1.6 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு ஆகவும் அதே சமயத்தில் நேரடி பட்டை இடைவெளி 2.22 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு ஆகவும் இருக்கிறது.
இனங்காட்டிகள் | |
---|---|
25152-52-7 | |
ChemSpider | 82452 |
EC number | 246-667-3 |
யேமல் -3D படிமங்கள் | Image |
பப்கெம் | 91307 |
| |
பண்புகள் | |
AlSb | |
வாய்ப்பாட்டு எடை | 148.742 கி/மோல்l |
தோற்றம் | கருப்பு நிற படிகங்கள் |
அடர்த்தி | 4.26 கி/செ.மீ3 |
உருகுநிலை | 1,060 °C (1,940 °F; 1,330 K) |
கொதிநிலை | 2,467 °C (4,473 °F; 2,740 K) |
கரையாது | |
Band gap | 1.58 எ.வோ |
ஒளிவிலகல் சுட்டெண் (nD) | 3.3 |
கட்டமைப்பு | |
படிக அமைப்பு | Zinc blende |
புறவெளித் தொகுதி | T2d-F-43m |
ஒருங்கிணைவு வடிவியல் |
நான்முகம் |
வெப்பவேதியியல் | |
Std enthalpy of formation ΔfH |
-50.4 kJ/mol |
நியம மோலார் எந்திரோப்பி S |
65 J/mol K |
தீங்குகள் | |
பொருள் பாதுகாப்பு குறிப்பு தாள் | MSDS |
மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும் பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும். | |
300 பாகை கெல்வின் வெப்பநிலையில் இதன் எலக்ட்ரான் இயக்கம் அல்லது மின்னணு நகர்திறன் 200 cm²•V−1•s−1 மற்றும் இதனுடைய மின்துளை நகர்திறன் 400 cm²•V−1•s−1 ஆகும். மேலும் இதன் ஒளிவிலகல் எண் 2 µm அலைநீளத்தில் 3.3 ஆக்வும் மற்றும் அதன் மின்கடத்தாப் பொருள் மாறிலி 10.9 நுண்ணலை அலைவெண்ணாகவும் [1] உள்ளது.
III மற்றும் V குழுவிலுள்ள பிற தனிமங்களுடன் அலுமினியம் ஆண்டிமோணைடு சேர்ந்து கலப்புலோகங்கள் AlInSb, AlGaSb மற்றும் AlAsSb போன்ற முத்தனிமச் சேர்மங்களைத் தருகிறது.
ஆண்டிமோணைடு அயனியின் (Sb3-)குறைக்கும் போக்கு காரணத்தால் அலுமினியம் ஆண்டிமோணைடு எரிதகு பண்பைக் கொண்டுள்ளது. இது எரிந்து அலுமினியமொட்சைட்டு மற்றும் ஆண்டிமனிமூவொட்சைட்டு ஆகியவற்றைத் தயாரிக்க உதவுகிறது.
இவற்றையும் காண்க
தொகுமேற்கோள்கள்
தொகு- ↑ K Seeger and E Schonherr "Microwave dielectric constant of aluminium antimonide" Semicond. Sci. Technol. 6 (1991) 301 எஆசு:10.1088/0268-1242/6/4/013